半導体発光素子及び発光モジュール
- 開放特許情報番号
- L2024001918
- 開放特許情報登録日
- 2024/10/24
- 最新更新日
- 2024/10/24
基本情報
出願番号 | 特願2022-180383 |
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出願日 | 2022/11/10 |
出願人 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 |
公開番号 | |
公開日 | 2024/5/22 |
発明の名称 | 半導体発光素子及び発光モジュール |
技術分野 | 電気・電子 |
機能 | 制御・ソフトウェア |
適用製品 | 半導体発光素子 |
目的 | 深紫外光の取り出し効率がさらに高められた半導体発光素子を提供する。 |
効果 | 深紫外光の取り出し効率をさらに高めることが可能である。 |
技術概要![]() |
基板と、
半導体層とを備え、 前記基板は、第1主面と、前記第1主面の反対面である第2主面とを有し、 前記半導体層は、前記第1主面上に配置されているn型半導体層と、前記n型半導体層上に配置されており、かつ深紫外光を発生させる活性層と、前記活性層上に配置されているp型半導体層とを有し、 前記半導体層は、メサ構造を有し、 前記第2主面は、前記メサ構造と対向している第1領域と、前記第1領域の周囲にある第2領域とを有し、 前記第1領域は、平坦面で構成されており、 前記第2領域には、凹凸構造が形成されており、 平面視において、前記第1領域の幅は、前記メサ構造の幅の0.1倍以上3.0倍以下である、半導体発光素子。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【否】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
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その他の情報
関連特許 |
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