半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、発光モジュール及び発光モジュールの製造方法
- 開放特許情報番号
- L2024001917
- 開放特許情報登録日
- 2024/10/24
- 最新更新日
- 2024/10/24
基本情報
| 出願番号 | 特願2022-180384 |
|---|---|
| 出願日 | 2022/11/10 |
| 出願人 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2024/5/22 |
| 発明の名称 | 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、発光モジュール及び発光モジュールの製造方法 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、発光モジュール及び発光モジュールの製造方法 |
| 目的 | 深紫外光の取り出し効率を改善することが可能な半導体発光素子を提供する。 |
| 効果 | 深紫外光の取り出し効率を改善することが可能である。 |
技術概要) |
基板と、
半導体層とを備え、 前記基板の構成材料は、単結晶の窒化アルミニウムであり、 前記基板は、第１主面と、前記第１主面の反対面である第２主面とを有し、 前記半導体層は、前記第１主面上に配置されているｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層上に配置されており、かつ深紫外光を発生させる活性層と、前記活性層上に配置されているｐ型半導体層とを有し、 前記半導体層は、いずれかの断面視において複数のメサ構造を有し、 前記第２主面には、複数の突出部が形成されており、 前記突出部は、前記メサ構造に対向しており、 前記突出部は、頂面を有し、 前記メサ構造の幅をＷ１とし、前記頂面の幅を幅Ｗ２とし、前記活性層と前記頂面との間の距離をＬとすると、ｔａｎ↑(−１)｛（Ｗ２−Ｗ１）／２Ｌ｝により定義される角度は、−２５°以上６５°以下である、半導体発光素子。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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