シリコン量子ドットの製造方法

開放特許情報番号
L2024001890
開放特許情報登録日
2024/10/22
最新更新日
2024/10/22

基本情報

出願番号 特願2018-042772
出願日 2018/3/9
出願人 学校法人法政大学、株式会社カンタム14
公開番号 特開2019-156665
公開日 2019/9/19
登録番号 特許第7108160号
特許権者 学校法人法政大学
発明の名称 シリコン量子ドットの製造方法
技術分野 化学・薬品、無機材料、機械・加工
機能 機械・部品の製造
適用製品 シリコン量子ドットの製造方法
目的 ポーラスシリコンを原料としたレーザー照射法によるシリコンナノ粒子作製手法における、(1)高性能化(サイズ制御性・発光効率の改善)、(2)大量生産性の向上(作製収量の改善)、(3)低コスト化(レーザー照射原料作製コストの削減)を図る。
効果 電気化学エッチングとレーザー照射、または、ヒータ加熱という簡易な生成プロセスで生産可能であるため、製品の価格も大幅に下げることができる効果がある。原料コストも低い。
技術概要
結晶シリコンウエハーをフッ酸水溶液中に浸漬し、電気化学エッチング法を用いて陽極酸化により、フッ酸水溶液に含まれるHFにより表面から内部に向かってエッチングを施してナノメートルオーダーの多孔質層からなるポーラスシリコン層を作製し、液中でシリコンウエハーからポーラスシリコン層を分離してポーラスシリコンフレークを得て、得られたポーラスシリコンフレークを原料として有機溶媒中でレーザー照射又は、加熱、もしくはそれらを組み合わせた方法を行い、量子ドットコロイド分散溶液を得ることを特徴とするシリコン量子ドットの製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 法政大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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