固体撮像素子および撮像装置、ならびに白キズ抑制方法

開放特許情報番号

L2024001836

開放特許情報登録日

2024/10/10

最新更新日

2024/10/10

基本情報

出願番号	特願2019-211456
出願日	2019/11/22
出願人	日本放送協会
公開番号	特開2021-082785
公開日	2021/5/27
登録番号	特許第7526563号
特許権者	日本放送協会
発明の名称	固体撮像素子および撮像装置、ならびに白キズ抑制方法
技術分野	電気・電子、情報・通信
機能	材料・素材の製造
適用製品	画素サイズを微細化することで撮像素子のコンパクト化および多画素化を図り、高精細な画像を撮像し得る光電変換部を備えた固体撮像素子および撮像装置、ならびに白キズ抑制方法
目的	光電変換膜中に膜欠陥や転位が形成された場合であっても、画面上に大きな白キズが発生するのを防止することができるとともに、膜電圧を設定された所望の値まで印加することができる、光電変換膜積層型の固体撮像素子および撮像装置、ならびに白キズ抑制方法を提供する。
効果	ｐ型浮遊拡散容量と画素電極においては、電子が入ると電位が小さくなり、ｎ型ウエルとの電位差が増加するのでｐ型ＭＯＳトランジスタの多数キャリアである正孔があふれて隣の画素へ流入する虞はない。これにより膜欠陥の影響が周囲にまで及んで、画面上に大きな白キズが形成される状態を阻止することができる。
技術概要	画素回路上に光電変換膜を積層するタイプであって、該光電変換膜には、画面上に白キズを発生させ得る欠陥が生じているＣＭＯＳ型固体撮像素子において、 該画素回路は、ｎ型基板上にｐ型ＭＯＳトランジスタが形成されるように構成するか、ｎ型基板上またはｐ型基板上にｎウエルが配され、該ｎウエル内にｐ型ＭＯＳトランジスタが形成されるように構成するとともに、該ｐ型ＭＯＳトランジスタの上部に画素電極を配設してなり、 前記光電変換膜は、正孔注入阻止層、光電変換層兼電荷増倍層、および膜電極の各層をこの順に積層されてなり、 該膜電極には前記画素電極のリセット電圧に対して負の電圧を印加し、 光電変換により発生した電子正孔対のうち電子を前記光電変換膜の走行キャリアとして用いるように構成されてなることを特徴とする固体撮像素子。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	一般財団法人　ＮＨＫ財団

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】