磁気トンネル接合素子及びその製造方法

基本情報

出願番号	特願2023-027540
出願日	2023/2/24
出願人	国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号	特開2024-120624
公開日	2024/9/5
発明の名称	磁気トンネル接合素子及びその製造方法
技術分野	電気・電子
機能	材料・素材の製造
適用製品	磁気トンネル接合素子及びその製造方法
目的	大面積化が可能であると共に、ｈＢＮ層からなる障壁材料の特性及び電流特性が低下するおそれが低い磁気トンネル接合素子を提供する。
効果	大型化が可能であると共に、ｈＢＮ層からなる障壁材料の特性及び電流特性が低下するおそれを低くすることができる。
技術概要	基板と、前記基板上に積層された鉄ニッケル合金、コバルト鉄合金、ニッケルコバルト合金の何れか、及びこれらのホウ化物からなる第１強磁性体層と、前記第１強磁性体層上にＣＶＤ合成によって直接積層された六方晶窒化ホウ素層と、前記六方晶窒化ホウ素層上に積層された第２強磁性体層と、を有することを特徴とする磁気トンネル接合素子。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者名称	国立研究開発法人科学技術振興機構