ガスセンサ
- 開放特許情報番号
- L2024001709
- 開放特許情報登録日
- 2024/8/15
- 最新更新日
- 2025/6/3
基本情報
| 出願番号 | 特願2023-502307 |
|---|---|
| 出願日 | 2022/2/15 |
| 出願人 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2022/9/1 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 発明の名称 | ガスセンサ |
| 技術分野 | 情報・通信 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 特定の金属からなるナノワイヤと高抵抗半導体からなる酸化物とを組み合わせたガスセンサ |
| 目的 | 酸素ガスに対して応答速度が速く、感度が高いガスセンサを提供する。 |
| 効果 | 酸素ガスに対して応答速度が速く(すなわち、応答時間が短く、回復時間が短い)、さらに、感度が高いとの効果を奏する。また、動作温度が低くても(例えば60〜300℃程度)酸素ガスが検出できるとの効果も有する。また、酸素ガス濃度が低くても酸素ガスを検出可能であることから、検出可能な酸素ガス濃度の範囲が広いとの効果も有する。 |
技術概要![]() |
絶縁表面を有する基板と、
前記基板の前記絶縁表面上に形成された、第1パッド電極及び第2パッド電極と、 前記第1パッド電極と前記第2パッド電極とを連結し、前記基板の前記絶縁表面上に形成された、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、ロジウム(Rh)、ルテニウム(Ru)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)、及びこれらの合金から選ばれた一種以上からなるナノワイヤと、 前記ナノワイヤと接触した、前記ナノワイヤを構成する金属とは異種の金属の酸化物の高抵抗半導体からなる酸化物層であって、(I)前記基板の前記絶縁表面と前記ナノワイヤとの間に位置し、前記ナノワイヤの下面と接触する、又は、(II)前記ナノワイヤ上に位置し、前記ナノワイヤの上面と接触する、の一方又は両方を少なくとも満たす酸化物層と、 を有し、 前記第1パッド電極と前記第2パッド電極との間に電流を流し、前記第1パッド電極と前記第2パッド電極との間で検出される電気信号の変化に基づいて、ガスを検出するガスセンサ。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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