不揮発性記憶装置

基本情報

出願番号	特願2022-566911
出願日	2021/11/30
出願人	国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号	WO2022/118809
公開日	2022/6/9
発明の名称	不揮発性記憶装置
技術分野	電気・電子
機能	機械・部品の製造
適用製品	複数の不揮発性記憶素子が直列に配置された３次元積層構造を有する不揮発性記憶装置
目的	低消費電力で信頼性の高い不揮発性記憶装置を提供する。
効果	大容量、低消費電力かつ高信頼性の不揮発性記憶装置を得ることができる。
技術概要	複数の不揮発性記憶素子が直列に配置された３次元積層構造を有する不揮発性記憶装置であって、金属酸化物を含む柱状の半導体部材と、酸化ハフニウムを含み、前記半導体部材の側面に接して前記半導体部材を囲む強誘電体層と、前記強誘電体層を介して前記半導体部材の側面に対向すると共に前記半導体部材の長手方向に沿って配置された複数のゲート電極と、を備え、前記半導体部材は、外周面から中心軸に至るまで連続する部材である、不揮発性記憶装置。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

アピール内容	関連する技術資料は以下のURLにおいて掲載しています。 https://www.jst.go.jp/chizai/news/oshigijutsu60.html

登録者名称	国立研究開発法人科学技術振興機構