磁気素子および磁気メモリ装置

開放特許情報番号
L2024001549
開放特許情報登録日
2024/7/8
最新更新日
2024/7/8

基本情報

出願番号 特願2022-007392
出願日 2022/1/20
出願人 学校法人 関西大学
公開番号 特開2023-106204
公開日 2023/8/1
発明の名称 磁気素子および磁気メモリ装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 ナノスケールの磁気構造体が存在可能な磁気素子および磁気メモリ装置
目的 スキルミオン等の磁気構造体が所定の移動方向から逸れることを抑制できる磁気素子等を実現する。
効果 磁気構造体が所定の移動方向から逸れることを防止できる。また、磁気構造体を低消費電力で駆動させることができる。
技術概要
磁性部材と、
前記磁性部材に形成された第1重金属部材および第2重金属部材と、を備え、
前記磁性部材において、前記第1重金属部材が形成された部分と、前記第2重金属部材が形成された部分とにまたがって、円形状または楕円形状の磁気構造体が存在可能となっている、
磁気素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 関西大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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