ペロブスカイト太陽電池およびその製造方法、並びに界面が低欠陥化されたニッケル酸化膜およびニッケル酸化膜の界面処理方法
- 開放特許情報番号
- L2024001285
- 開放特許情報登録日
- 2024/5/23
- 最新更新日
- 2024/5/23
基本情報
| 出願番号 | 特願2022-139933 |
|---|---|
| 出願日 | 2022/9/2 |
| 出願人 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2023/3/14 |
| 発明の名称 | ペロブスカイト太陽電池およびその製造方法、並びに界面が低欠陥化されたニッケル酸化膜およびニッケル酸化膜の界面処理方法 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 制御・ソフトウェア |
| 適用製品 | ペロブスカイト太陽電池およびニッケル酸化膜の界面処理 |
| 目的 | 光電変換効率が高いペロブスカイト太陽電池およびそのペロブスカイト太陽電池の製造方法を提供する。
また、界面が低欠陥なニッケル酸化膜およびその界面処理方法を提供する。 |
| 効果 | 光電変換効率が高いペロブスカイト太陽電池およびそのペロブスカイト太陽電池の製造方法が提供される。
また、界面が低欠陥なニッケル酸化膜およびその界面処理方法が提供される。 |
技術概要) |
透明導電層、ホール輸送層、ペロブスカイト層、電子輸送層、ホールブロッキング層および裏面電極が順次形成されており、
前記ホール輸送層は無機ニッケル酸化物からなり、 前記ペロブスカイト層側の前記ホール輸送層の表面の少なくとも一部が下記式（１）記載の物質（Ｘ−ｎＰＡＣｚ）で覆われている、ペロブスカイト太陽電池。 【化１】 ［式（１）中、ＸはＯＲまたはＲで、Ｏは酸素、Ｒは炭素数が１以上１２個以下の直鎖状炭化水素基、ｎは２以上１２以下の整数を表す。］ |
| イメージ図 | |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
)
登録者情報
| 登録者名称 | |
|---|---|
その他の情報
| 関連特許 |
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