赤外線検出素子、その製造方法、および赤外線検出装置
- 開放特許情報番号
- L2024001270
- 開放特許情報登録日
- 2024/5/23
- 最新更新日
- 2024/5/23
基本情報
| 出願番号 | 特願2021-191169 |
|---|---|
| 出願日 | 2021/11/25 |
| 出願人 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2023/6/6 |
| 発明の名称 | 赤外線検出素子、その製造方法、および赤外線検出装置 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造、鋳造・鍛造 |
| 適用製品 | 赤外線検出素子、その製造方法、および赤外線検出装置 |
| 目的 | 安価で暗電流が少なく感度も高い赤外線検出素子および赤外線検出装置を提供する。 |
| 効果 | 安価で暗電流が少なく感度も高い赤外線検出素子および赤外線検出装置を提供することが可能になる。 |
技術概要) |
第１の電極層、第１の半導体層、緩衝層、第２の半導体層および第２の電極層が順次積層され、
前記第１の半導体層のバンドギャップは、前記第２の半導体層のバンドギャップより広く、 前記緩衝層は、前記第１の半導体層の格子定数の９９％と前記第２の半導体層の格子定数の１０１％の範囲の格子定数を有し、前記第１の半導体層の格子定数と前記第２の半導体層の格子不整合の８割以上を緩和する層であり、 前記第１の半導体層および前記第２の半導体層の伝導型は同じであり、 前記第２の半導体層はＩｎＸ（Ｘは５族の元素）を含む、赤外線検出素子。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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