固体撮像素子および撮像装置、ならびに白キズ抑制方法
- 開放特許情報番号
- L2024001261
- 開放特許情報登録日
- 2024/5/21
- 最新更新日
- 2024/5/21
基本情報
| 出願番号 | 特願2019-143729 |
|---|---|
| 出願日 | 2019/8/5 |
| 出願人 | 日本放送協会 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2021/2/22 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 日本放送協会 |
| 発明の名称 | 固体撮像素子および撮像装置、ならびに白キズ抑制方法 |
| 技術分野 | 電気・電子、情報・通信 |
| 機能 | 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア |
| 適用製品 | 固体撮像素子および撮像装置、ならびに白キズ抑制方法 |
| 目的 | 光電変換膜中に膜欠陥が形成された場合であっても、画面上に大きな白キズが発生するのを防止することができるとともに、膜電圧を、設定された所望の値まで印加することができる、光電変換膜積層型の固体撮像素子および撮像装置、ならびに白キズ抑制方法を提供する。 |
| 効果 | 膜欠陥の影響が周囲にまで及んで、画面上に大きな白キズが形成される状態を阻止することができる。
また、浮遊拡散容量とｐ型基板が逆バイアス状態となることにより、過剰な電流は流れず、膜電圧を、設定された所望の電圧まで印加することができる。 |
技術概要) |
画素回路上に光電変換膜を積層するタイプであって、該光電変換膜には、画面上に白キズを発生させ得る欠陥が生じているＣＭＯＳ型固体撮像素子において、
該画素回路は、ｐ型基板上にｎ型ＭＯＳトランジスタを形成する手法、またはｎ型基板上にｐウエルを設け、該ｐウエル内に該ｎ型ＭＯＳトランジスタを形成する手法を用いて構成されるとともに、上部に画素電極を配されてなり、 前記光電変換膜は、光電変換層兼電荷増倍層、正孔注入阻止層、膜電極の各層をこの順に積層されてなり、 該膜電極には前記画素電極のリセット電圧に対して正の電圧を印加し、 光電変換により発生した電子正孔対のうち正孔を前記光電変換膜の走行キャリアとして用いるように構成されてなることを特徴とする固体撮像素子。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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