一次元導体によるパターンの形成方法

開放特許情報番号

L2024001220

開放特許情報登録日

2024/5/20

最新更新日

2024/5/20

基本情報

出願番号	特願2022-024339
出願日	2022/2/19
出願人	国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号	特開2023-121167
公開日	2023/8/31
発明の名称	一次元導体によるパターンの形成方法
技術分野	機械・加工
機能	材料・素材の製造
適用製品	一次元導体によるパターンの形成方法
目的	閉ループ形状を含む様々な形状のパターンの形成を容易に行うことができる、一次元導体によるパターンの形成方法を提供する。
効果	閉ループ形状を含む様々な形状のパターンの形成を容易に行うことができる、一次元導体によるパターンの形成方法が提供される。
技術概要	基材表面の、パターン形成領域および非パターン形成領域のいずれか一方または両方を処理し、パターン形成領域の表面エネルギーγ↓Ａを非パターン形成領域の表面エネルギーγ↓Ｂより小さくし、かつ、パターン形成領域の表面エネルギーγ↓Ａと非パターン形成領域の表面エネルギーγ↓Ｂとの差［γ↓Ｂ−γ↓Ａ］を、５ｍＪ／ｍ↑２以上２５ｍＪ／ｍ↑２以下の範囲とすることと、 基材表面に、一次元導体を含有する水性分散液を適用し、パターン形成領域と非パターン形成領域を含む範囲に一次元導体水性分散液の液膜を形成することと を包含し、 前記液膜中の微細な流れを制御して前記液膜中の対流で移動する一次元導体を前記パターン形成領域に自己集合させ、所定のパターンを形成する、 一次元導体によるパターンの形成方法。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人物質・材料研究機構

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】