| 出願番号 |
特願2013-226195 |
| 出願日 |
2013/10/31 |
| 出願人 |
国立研究開発法人理化学研究所 |
| 公開番号 |
特開2015-088630 |
| 公開日 |
2015/5/7 |
| 登録番号 |
特許第6161160号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人理化学研究所 |
| 発明の名称 |
量子カスケードレーザー素子 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
テラヘルツ領域の電磁波を放出する量子カスケードレーザー素子 |
| 目的 |
ＴＨｚ領域の低周波で動作する量子カスケードレーザー素子においてレーザー発振が実現する周波数が単一で、その動作温度を高めることにより、ＴＨｚ−ＱＣＬを採用する各種の用途の実用化。 |
| 効果 |
量子カスケードレーザー素子ではこれまで実現されてこなかった低周波のＴＨｚ領域において、高い動作温度にて１波長（１周波数）でのレーザー発振動作を実現する。 |
技術概要
 |
本発明の量子カスケードレーザー素子では、活性領域１０の各単位構造１０Ｕは、第１〜第４ウェル層１０Ｗ１〜１０Ｗ４を少なくとも１つのバリア層１０Ｂで互いに仕切ってこの順に配置したものである。電子のエネルギー準位構造は、発振のための第１バイアス電界において、受取り準位、上位レーザー準位、下位レーザー準位、引き抜き準位を少なくとも有していて第１周波数の電磁波を放出する。第１バイアス電界から電界を弱めた第２バイアス電界の下では、不要発振上位準位と不要発振下位準位の電子の波動関数の互いの重なり積分値が０．１５以下とされ、第１周波数とは異なる周波数の電磁波の誘導放出が抑制される。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)