紫外発光ダイオードおよびその製造方法

開放特許情報番号

L2024001113

開放特許情報登録日

2024/5/9

最新更新日

2024/5/9

基本情報

出願番号	特願2017-241396
出願日	2013/10/15
出願人	国立研究開発法人理化学研究所
公開番号	特開2018-085520
公開日	2018/5/31
登録番号	特許第6607614号
特許権者	国立研究開発法人理化学研究所
発明の名称	紫外発光ダイオードおよびその製造方法
技術分野	電気・電子
機能	機械・部品の製造
適用製品	高効率化した紫外発光ダイオードおよびその製造方法
目的	低転位に加えて、光取出し効率ηＬＥＥにメリットのある光学的作用、より具体的には、散乱等の光の方向変換作用をバッファー層に発揮させることを可能にすることにより、高効率のＤＵＶＬＥＤの実現する。
効果	バッファー層に光学的な方向変換作用をもたせることにより、光取出し効率ηＬＥＥを高めた紫外ＬＥＤが実現される。
技術概要	紫外発光ダイオード１００Ａは、凸部１１２の配列が形成された単結晶のサファイア基板１１０Ａと、サファイア基板に形成されたＡｌＮ結晶のバッファー層１２０Ａと、バッファー層に接して形成され、ｎ型導電層１３２、再結合層１３４、およびｐ型導電層１３６をバッファー層の側からこの順に積層して形成されている紫外発光層１３０を備えている。バッファー層が、複数のピラー１２４が配列されているピラー配列部１２４ａ、およびピラーが互いに結合して形成されている一体化部１２６を有しており、ピラーのそれぞれは、サファイア基板の凸部それぞれから一方の面１０４の法線方向に延び、一方の面の面内方向において互いにギャップＧにより隔てられている。紫外発光層から放出される光は、バッファー層のピラー配列部およびサファイア基板を通って外部に取り出される。
実施実績	【有】
許諾実績	【有】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人理化学研究所

その他の情報

関連特許	国内 【有】 国外 【有】