マンガン窒化物結晶、及び負の熱膨張材料

開放特許情報番号
L2024001111
開放特許情報登録日
2024/5/9
最新更新日
2024/5/9

基本情報

出願番号 特願2012-053250
出願日 2005/7/29
出願人 国立研究開発法人理化学研究所
公開番号 特開2012-140324
公開日 2012/7/26
登録番号 特許第5553366号
特許権者 国立研究開発法人理化学研究所
発明の名称 マンガン窒化物結晶、及び負の熱膨張材料
技術分野 化学・薬品、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 温度上昇による熱膨張を抑制するための、熱膨張抑制剤ならびにこれを用いたゼロまたは負の熱膨張材料、熱膨張抑制方法、および熱膨張抑制剤の製造方法
目的 従来の熱膨張抑制剤より、著しく適用範囲が広く、かつ、容易に使用することができる熱膨張抑制剤を提供す
る。
効果 マンガン窒化物の磁気転移温度幅、すなわち、負の熱膨張を示す温度域を、例えば、100℃以上にも広げることが可能になり、また、負膨張率の線形性も、例えば、70℃程度以上にわたっても、確保できるようになった。これにより、マンガン窒化物が工業的な熱膨張抑制剤として利用可能となった。
技術概要
下記一般式(2−2)で表される組成からなるマンガン窒化物結晶。
一般式(2−2)
Mn↓(3+x2)A↑(21)↓(y2)A↑(22)↓(1-x2-y2)B
一般式(2−2)中、A↑(21)、A↑(22)、B、x2、およびy2は、以下のi)またはii)の何れかの条件を満たす。
i)A↑(21)およびA↑(22)は、(A↑(21)、A↑(22))=(Ni、Ge)、(Ni、Sn)、(Cu、Ge)、(Cu、Sn)、(Zn、Ge)、(Zn、Sn)、(Ga、Ge)、(Ga、Sn)、(In、Ge)および(In、Sn)のいずれかであり、0<x2<1、0.35<y2<0.8、かつ、1>x2+y2であり、さらに、Bは一部が炭素原子で置換されていてもよい窒素原子である。
ii)A↑(21)およびA↑(22)は、(A↑(21)、A↑(22))=(Ni、Ge)、(Ni、Sn)、(Zn、Ge)、(Zn、Sn)、(Ga、Sn)および(In、Ge)のいずれかであり、x2=0であり、0.35<y2<0.8であり、さらに、Bは一部が炭素原子で置換されていてもよい窒素原子である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【有】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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