マンガン窒化物結晶、及び負の熱膨張材料
- 開放特許情報番号
- L2024001111
- 開放特許情報登録日
- 2024/5/9
- 最新更新日
- 2024/5/9
基本情報
出願番号 | 特願2012-053250 |
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出願日 | 2005/7/29 |
出願人 | 国立研究開発法人理化学研究所 |
公開番号 | |
公開日 | 2012/7/26 |
登録番号 | |
特許権者 | 国立研究開発法人理化学研究所 |
発明の名称 | マンガン窒化物結晶、及び負の熱膨張材料 |
技術分野 | 化学・薬品、無機材料 |
機能 | 材料・素材の製造 |
適用製品 | 温度上昇による熱膨張を抑制するための、熱膨張抑制剤ならびにこれを用いたゼロまたは負の熱膨張材料、熱膨張抑制方法、および熱膨張抑制剤の製造方法 |
目的 | 従来の熱膨張抑制剤より、著しく適用範囲が広く、かつ、容易に使用することができる熱膨張抑制剤を提供す
る。 |
効果 | マンガン窒化物の磁気転移温度幅、すなわち、負の熱膨張を示す温度域を、例えば、100℃以上にも広げることが可能になり、また、負膨張率の線形性も、例えば、70℃程度以上にわたっても、確保できるようになった。これにより、マンガン窒化物が工業的な熱膨張抑制剤として利用可能となった。 |
技術概要 |
下記一般式(2−2)で表される組成からなるマンガン窒化物結晶。
一般式(2−2) Mn↓(3+x2)A↑(21)↓(y2)A↑(22)↓(1-x2-y2)B 一般式(2−2)中、A↑(21)、A↑(22)、B、x2、およびy2は、以下のi)またはii)の何れかの条件を満たす。 i)A↑(21)およびA↑(22)は、(A↑(21)、A↑(22))=(Ni、Ge)、(Ni、Sn)、(Cu、Ge)、(Cu、Sn)、(Zn、Ge)、(Zn、Sn)、(Ga、Ge)、(Ga、Sn)、(In、Ge)および(In、Sn)のいずれかであり、0<x2<1、0.35<y2<0.8、かつ、1>x2+y2であり、さらに、Bは一部が炭素原子で置換されていてもよい窒素原子である。 ii)A↑(21)およびA↑(22)は、(A↑(21)、A↑(22))=(Ni、Ge)、(Ni、Sn)、(Zn、Ge)、(Zn、Sn)、(Ga、Sn)および(In、Ge)のいずれかであり、x2=0であり、0.35<y2<0.8であり、さらに、Bは一部が炭素原子で置換されていてもよい窒素原子である。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【有】 |
特許権譲渡 | 【否】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
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その他の情報
関連特許 |
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