半導体基材における除去加工装置およびその方法

開放特許情報番号

L2024001110

開放特許情報登録日

2024/5/9

最新更新日

2024/5/9

基本情報

出願番号	特願2014-113554
出願日	2014/5/30
出願人	国立研究開発法人理化学研究所
公開番号	特開2015-226922
公開日	2015/12/17
登録番号	特許第6355194号
特許権者	国立研究開発法人理化学研究所
発明の名称	半導体基材における除去加工装置およびその方法
技術分野	機械・加工
機能	機械・部品の製造、洗浄・除去
適用製品	レーザー光を用いる半導体基材における除去加工装置および除去加工の方法
目的	シリコン基板などの半導体基材の加工対象物に対し環境負荷が低く実用性の高い除去加工手法を提供することにより、精密な除去加工を利用する半導体回路装置の高度化に貢献するものである。例えばシリコンチップまたはシリコンダイを積層する場合の電気的接続のためのＴＳＶを利用する任意の電子部品の高性能化を進展させる。
効果	レーザー加工の利点を活かしつつ、例えば高いア スペクト比の貫通孔や小径の貫通孔、さらにはテーパーレスの貫通孔など、従来困難であった形状の除去加工を実施することが可能となる。
技術概要	半導体基材である加工対象物の内部に到達可能な波長のレーザー光のパルスを放射するための光源と、 ビーム軸に沿った範囲であるピーク範囲に光強度のピークをもつベッセルビームとなるよう前記レーザー光を変換することにより、前記波長の前記ベッセルビームのパルスであるベッセルビームパルスを形成するための光学系と、 前記ベッセルビームパルスの前記ピーク範囲を、前記加工対象物の前記内部に位置づけられる除去ターゲットパスの一部または全部に重なるよう位置合わせするための位置合わせ装置と を備え、 前記除去ターゲットパスが前記加工対象物のいずれかの表面で終端しており、 前記波長の光を受けると前記加工対象物のエッチングを助ける作用をもつ補助液が前記表面にて前記加工対象物に接触しており、 前記位置合わせ装置は、前記ベッセルビームパルスが前記加工対象物の内部を通り、前記ピーク範囲が前記表面にて前記補助液に到達するように位置合わせするものであり、 これにより、前記補助液が前記ベッセルビームパルスを受けて前記加工対象物のエッチングを助けるように作用する、加工対象物への除去加工装置。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人理化学研究所

その他の情報

関連特許	国内 【有】 国外 【無】