撮像素子

開放特許情報番号

L2024001100

開放特許情報登録日

2024/5/9

最新更新日

2024/5/9

基本情報

出願番号	特願2019-205876
出願日	2019/11/14
出願人	日本放送協会
公開番号	特開2021-082620
公開日	2021/5/27
登録番号	特許第7416605号
特許権者	日本放送協会
発明の名称	撮像素子
技術分野	電気・電子、情報・通信
機能	材料・素材の製造
適用製品	撮像素子に係り、特にインテグラル立体方式の映像を撮影する撮像素子
目的	インテグラル方式の撮像素子においてＴＳＶを用いてもフレームレートの低下を抑制できる撮像素子を提供する。
効果	画素エリアにおいて、マイクロレンズ周辺部、および、隣接するマイクロレンズの間の少なくともいずれかに対応した領域にＴＳＶが形成されているので、画素エリアに並んだ１列分の画素を３つ以上の処理単位に分割して、１つのＡ／Ｄ変換回路が受け持つ画素数を容易に減らすことができる。したがって、インテグラル方式の超多画素の撮像素子においてＴＳＶを用いても動画撮影時のフレームレートの低下を抑制することができる。
技術概要	画素エリアを有する画素基板と信号処理回路基板とを積層して備え、マイクロレンズを配列してなるマイクロレンズアレイを前記画素エリアに対向させるインテグラル方式の撮像素子であって、 前記画素基板の回路と前記信号処理回路基板の回路とを電気的に接続するＴＳＶ（Through Silicon Via）構造を備え、 前記画素エリアには、複数の画素から構成される画素ブロックが前記マイクロレンズに対向するように配列され、 前記画素ブロックは、前記マイクロレンズよりも小さく、 前記マイクロレンズにおいて光が十分に入射するマイクロレンズ中心部の周辺に位置するマイクロレンズ周辺部、および、隣接するマイクロレンズの間の少なくともいずれかを、前記画素エリアに投影した領域に、前記ＴＳＶ構造が形成されており、 前記ＴＳＶ構造は、 前記画素基板を貫通して形成されて前記信号処理回路基板の回路に電気的に接続された第１のＴＳＶと、 前記画素基板の回路に電気的に接続された第２のＴＳＶと、 前記画素基板の前記画素エリアが配置された面において第１のＴＳＶと第２のＴＳＶとを電気的に接続する中継電極と、を備えることを特徴とする撮像素子。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	一般財団法人　ＮＨＫ財団

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】