| 出願番号 |
特願2022-091171 |
| 出願日 |
2022/6/3 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2023-178103 |
| 公開日 |
2023/12/14 |
| 発明の名称 |
室温高スピン偏極のホイスラー合金、並びにこれを用いた膜面垂直電流巨大磁気抵抗素子、トンネル磁気抵抗素子、及びこれらを用いた磁気デバイス、並びにこれを用いた半導体スピン注入素子及びこれを用いた発光素子 |
| 技術分野 |
金属材料、電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
室温高スピン偏極のホイスラー合金、また、室温高スピン偏極のホイスラー合金を用いた膜面垂直電流巨大磁気抵抗素子、トンネル磁気抵抗素子、及びこれらを用いた磁気デバイス、更に、室温高スピン偏極のホイスラー合金を用いた半導体スピン注入素子、及びこれを用いた発光素子 |
| 目的 |
Ａ↓２ＢＣのＡサイトにＣｏ、ＢサイトにＭｎまたはＦｅ、ＣサイトにＡｓとＡｌまたはＡｓとＧａを配置することにより広い組成範囲で室温においてスピン偏極率が７５％以上となる材料。 |
| 効果 |
室温における高いスピン偏極率が保持されているので、ＴＭＲ素子やＣＰＰ−ＧＭＲ素子において、高いＭＲ比を室温付近で実現する強磁性電極材料となり得る。また、スピンフィルター素子としても応用できるため半導体へのスピン注入源としての応用も期待できる。 |
技術概要
 |
ホイスラー合金Ａ↓２ＢＣのＡサイトにＣｏ、ＢサイトにＭｎ、ＣサイトにＡｓ及びＡｌまたはＡｓ及びＧａを配置し、若しくはホイスラー合金Ａ↓２ＢＣのＡサイトにＣｏ、ＢサイトにＦｅ、ＣサイトにＡｌ及びＳｎまたはＧａ及びＩｎを配置し、
室温においてスピン偏極率が７５％以上となるホイスラー合金。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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