| 出願番号 |
特願2023-178336 |
| 出願日 |
2019/9/13 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2023-179710 |
| 公開日 |
2023/12/19 |
| 登録番号 |
特許第7576352号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 |
ＭＩＳ型半導体装置の製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
ＭＩＳ型半導体装置の製造方法に係り、特にダイヤモンド半導体を用いたセーフティ、省エネルギー、かつ移動度が高くて高速動作に適するＭＩＳ型半導体装置の製造方法 |
| 目的 |
セーフティ、省エネルギー、かつ移動度が高くて高速動作に適するダイヤモンド半導体によＭＩＳ型半導体装置の製造方法を提供する。 |
| 効果 |
セーフティ、省エネルギー、かつ移動度が高くて高速動作に適するダイヤモンド半導体によるＭＩＳ型半導体装置の製造方法を提供することが可能になる。 |
技術概要
 |
水素で終端されたダイヤモンドからなる第１主表面を有する半導体層を形成することと、
前記半導体層の水素で終端された面の少なくとも一部に接して絶縁体層を形成することと、
前記絶縁体層の少なくとも一部の上に導電体層を形成することを有し、
前記半導体層を形成することの直後から前記絶縁体層を形成することの直前に至るまで間の雰囲気が、真空、水素ガス、不活性ガスおよび不活性ガスが添加された水素ガスからなる群より選ばれる何れかの１つである、ＭＩＳ型半導体装置の製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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