| 出願番号 |
特願2013-503464 |
| 出願日 |
2012/2/28 |
| 出願人 |
国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 |
WO2012/121067 |
| 公開日 |
2012/9/13 |
| 登録番号 |
特許第5942297号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 発明の名称 |
ナノギャップ長を有する電極構造の作製方法、メッキ液及びナノデバイス |
| 技術分野 |
電気・電子、機械・加工 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
ナノギャップ長を有する電極構造の作製方法、メッキ液及びナノデバイス |
| 目的 |
ギャップ長のバラツキを制御可能なナノギャップ長を有する電極構造の作製方法を提供する、この作製方法に用いられるメッキ液及びこの作製方法により得られるデバイスを提供する。 |
| 効果 |
電極表面に保護基である界面活性剤の分子を分子定規として用いた無電解メッキ法により、ギャップ長を分子長で制御したナノギャップ電極を作製することができる。
ヨードチンキを用いた無電解メッキ法を用いてトップダウン法により作製されたイニシャルのナノギャップ電極をメッキし、距離をある程度縮めたのちに分子定規無電解メッキを行うことでギャップ長をより精密に高い歩留まりで制御することができる。 |
技術概要
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金属層がギャップを有して対で配置されている基板を、金属イオンを含む電解液に還元剤及び界面活性剤が混入されてなる無電解メッキ液に浸漬することにより、上記還元剤により金属イオンが還元されて金属が上記金属層に析出しつつ上記界面活性剤が該金属の表面に付着してギャップの長さをナノメートルサイズに制御した電極対を形成する、ナノギャップ長を有する電極構造の作製方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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