微細部位イメージング装置

開放特許情報番号

L2024000844

開放特許情報登録日

2024/4/17

最新更新日

2024/4/17

基本情報

出願番号	特願2012-163242
出願日	2012/7/24
出願人	国立大学法人東京工業大学、学校法人　工学院大学
公開番号	特開2014-022344
公開日	2014/2/3
登録番号	特許第6014801号
特許権者	学校法人　工学院大学
発明の名称	微細部位イメージング装置
技術分野	電気・電子
機能	機械・部品の製造
適用製品	試料を画像化する微細部位イメージング装置
目的	集束イオンビームの照射位置のずれが生じず、最適化された条件で２次イオン像を得ることが可能な微細部位イメージング装置を提供する。
効果	集束イオンビームの照射位置のずれが生じず、最適化された条件で２次イオン像を得ることが可能であるという利点がある。
技術概要	試料を画像化する微細部位イメージング装置であって、 ターゲットとなる試料に集束イオンビームをパルス状に照射する照射部と、 集束イオンビーム照射部の集束イオンビームのパルスタイミングを制御可能なイオンビームパルス制御部と、 照射される集束イオンビームにより励起される２次イオンから２次イオン像を生成するためのイメージング部と、 集束イオンビーム照射部から照射される集束イオンビームにより励起される２次イオンに対して、照射されていないタイミングで引出電界をパルス状に印加する引出電界発生部と、 引出電界発生部の引出電界のパルスタイミングを制御可能な引出電界パルス制御部と、 イオンビームパルス制御部によるパルスタイミングに対する引出電界パルス制御部によるパルスタイミングの遅延時間を異ならせたときにイメージング部により生成される２次イオン像を画像認識により比較解析する２次イオン像比較部と、 ２次イオン像比較部による比較結果により、イオンビームパルス制御部によるパルスタイミングに対する引出電界パルス制御部によるパルスタイミングの遅延時間を決定す る遅延時間決定部と、 を具備することを特徴とする微細部位イメージング装置。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

アピール情報

アピール内容	工学院大学研究シーズ集（全体） https://www.kogakuin.ac.jp/research/seeds/index.html 研究活動報告書 https://www.kogakuin.ac.jp/research/r_insutitute/report_list.html 研究室一覧（全体） https://www.kogakuin.ac.jp/faculty/lab/index.html

登録者情報

登録者名称	学校法人　工学院大学

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】