| 出願番号 |
特願2022-098664 |
| 出願日 |
2022/6/20 |
| 出願人 |
国立大学法人九州工業大学 |
| 公開番号 |
特開2023-097321 |
| 公開日 |
2023/7/7 |
| 発明の名称 |
基板の表面処理方法、表面処理装置および表面処理溶液 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造、表面処理 |
| 適用製品 |
発光ダイオードや半導体レーザ、半導体基板 |
| 目的 |
半導体基板の処理過程で生じる基板表面の突起物を研磨することができ、またエッチピットの生成を制御することができる表面処理方法、表面処理装置および表面処理溶液を提供する。 |
| 効果 |
水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液とアルコール類と添加剤とを含む表面処理溶液を用いて半導体基板の表面処理が行われ、半導体基板の表面に生じた突起物を研磨し、またエッチピットの生成を制御できる。 |
技術概要
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III族半導体基板の表面処理方法であって、
水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液とアルコール類と添加剤とを含む表面処理溶液に、前記III族半導体基板の表面を接触させて、前記III族半導体基板の表面を処理する表面処理方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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