複合超伝導体およびその製造方法

開放特許情報番号
L2024000783
開放特許情報登録日
2024/4/11
最新更新日
2024/4/11

基本情報

出願番号 特願2022-042640
出願日 2022/3/17
出願人 国立大学法人九州工業大学
公開番号 特開2023-136766
公開日 2023/9/29
発明の名称 複合超伝導体およびその製造方法
技術分野 電気・電子、機械・加工
機能 機械・部品の製造
適用製品 複合超伝導体およびその製造方法
目的 超伝導体の割合を高めた、多様な形状の複合超伝導体およびその製造方法を提供する。
効果 超伝導体の割合を高めた複合超伝導体およびその製造方法が提供される。超伝導体の割合を高めた、多様な形状の複合超伝導体を簡単に製造することができる。
技術概要
金属薄層と超伝導体層とが積層された部分を有し、前記金属薄層と前記超伝導体層とがそれぞれ2層以上含まれる複合超伝導体の製造方法であって、
未研磨金属層と前記未研磨金属層上に形成された超伝導体層とを含む未研磨積層体の前記未研磨金属層の前記超伝導体層と反対側の面の少なくとも一部を研磨し、研磨された金属層を含む金属薄層と前記金属薄層上に形成された前記超伝導体層とを含む単位積層領域を形成することを含む、複合超伝導体の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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