金属膜形成用組成物および金属膜形成方法

開放特許情報番号

L2024000755

開放特許情報登録日

2024/4/9

最新更新日

2024/4/9

基本情報

出願番号	特願2021-153277
出願日	2017/2/1
出願人	学校法人　工学院大学
公開番号	特開2022-003170
公開日	2022/1/11
登録番号	特許第7175532号
特許権者	学校法人　工学院大学
発明の名称	金属膜形成用組成物および金属膜形成方法
技術分野	金属材料、有機材料
機能	材料・素材の製造
適用製品	金属膜形成用組成物および金属膜形成方法
目的	基材との密着性に優れた金属膜を簡易に形成しうる金属膜形成用組成物を提供する。 基材との密着性に優れた金属膜を簡易に形成しうる金属膜形成方法を提供する。
効果	基材との密着性に優れた金属膜を簡易に形成しうる金属膜形成用組成物を提供することができる。 また、基材との密着性に優れた金属膜を簡易に形成しうる金属膜形成方法を提供することができる。
技術概要	一般式（１）または（２）で表される金属錯体と、金属錯体の対アニオンと、金属錯体の溶剤とを含み、金属錯体の対アニオンは、カルボン酸の錯体、アミノポリカルボン酸の錯体、アミノ酸化合物の錯体からなる群より選択される化合物に由来する対アニオンの少なくとも１種を含み、金属錯体の対アニオンは金属錯体が含む金属原子と同一の金属原子を含む、金属膜形成用組成物。 【化１】 一般式（１）中、Ｍ↑１は、Ｃｕを表す。Ｌ↑（１１）およびＬ↑（１２）は、独立にＮＨ↓３配位子、Ｒ↑１ＮＨ↓２配位子、ＯＨ↓２配位子、ジアミン由来の配位子を表し、Ｒ↑１はアルキル基を表す。1nおよび1ｍは、独立に０〜８の整数を表し、1ｎ＋1ｍは、４〜８の範囲であり、Ｍ↑１で表される金属原子の価数に応じて決定される整数を表す。 一般式（２）中、Ｍ↑２は、Ａｇを表す。Ｌ↑（２１）およびＬ↑（２２）は、独立にＮＨ↓３配位子、Ｒ↑１ＮＨ↓２配位子、ＯＨ↓２配位子、ジアミン由来の配位子を表し、Ｒ↑１はアルキル基を表す。2nおよび2ｍは、独立に０〜４の整数を表し、2ｎ＋2ｍは、２〜４の範囲であり、Ｍ↑２で表される金属原子の価数に応じて決定される整数を表す。
イメージ図
実施実績	【無】
許諾実績	【有】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

アピール情報

アピール内容	工学院大学研究シーズ集（全体） https://www.kogakuin.ac.jp/research/seeds/index.html 研究活動報告書 https://www.kogakuin.ac.jp/research/r_insutitute/report_list.html 研究室一覧（全体） https://www.kogakuin.ac.jp/faculty/lab/index.html

登録者情報

登録者名称	学校法人　工学院大学

その他の情報

関連特許	国内 【有】 国外 【有】