超伝導膜表面抵抗推測方法、高周波伝送線路の伝搬損失推測方法、超伝導薄膜共振回路Ｑ値推測方法、超伝導膜表面インピーダンス推測方法、超伝導膜表面抵抗推測装置、及び、超伝導検出器製造方法
- 開放特許情報番号
- L2024000617
- 開放特許情報登録日
- 2024/3/29
- 最新更新日
- 2024/3/29
基本情報
| 出願番号 | 特願2009-205379 |
|---|---|
| 出願日 | 2009/9/5 |
| 出願人 | 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2011/3/24 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 |
| 発明の名称 | 超伝導膜表面抵抗推測方法、高周波伝送線路の伝搬損失推測方法、超伝導薄膜共振回路Ｑ値推測方法、超伝導膜表面インピーダンス推測方法、超伝導膜表面抵抗推測装置、及び、超伝導検出器製造方法 |
| 技術分野 | 電気・電子、情報・通信 |
| 機能 | 制御・ソフトウェア |
| 適用製品 | 超伝導膜表面抵抗推測方法、超伝導膜表面インピーダンス推測方法、超伝導薄膜共振回路Ｑ値推測方法、超伝導膜表面抵抗推測装置、及び、超伝導検出器製造方法 |
| 目的 | 超伝導膜の表面抵抗をより高い精度で推測できる超伝導膜表面抵抗推測方法などを提供する。 |
| 効果 | 超伝導膜の表面抵抗をより高い精度で推測できる超伝導膜表面抵抗推測方法などが得られる。 |
技術概要) |
ギャップエネルギーを複素数化し、複素電気伝導度を（数2)、(数3)から求める工程と、
【数２】 【数３】 （ここで、Δは複素ギャップエネルギー、σは複素電気伝導度、σ1は複素電気伝導度の実部、σ2は複素電気伝導度の虚部） (数4)と(数1)とを用いて表面インピーダンスを求める工程と 【数１】 （ここで、Tは温度、ωは周波数） 【数４】 （ここで、Zsは表面インピーダンス、μ0は真空の透磁率、ｔは超伝導膜の厚み） を有し、 前記表面インピーダンスから超伝導膜の表面抵抗を推測することを特徴とする超伝導膜表面抵抗推測方法。 |
| イメージ図 | |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
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登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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