不揮発性記憶装置及びその動作方法
- 開放特許情報番号
- L2024000583
- 開放特許情報登録日
- 2024/3/28
- 最新更新日
- 2024/3/28
基本情報
| 出願番号 | 特願2021-537601 |
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| 出願日 | 2020/6/3 |
| 出願人 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2021/2/11 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 発明の名称 | 不揮発性記憶装置及びその動作方法 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | ゲート絶縁層として強誘電体を用いたトランジスタ型の不揮発性記憶素子 |
| 目的 | 信頼性の高い強誘電体メモリの開発。
高集積化しても信頼性の高い不揮発性記憶素子を提供する。 |
| 効果 | チャネル長を短くすることによってチャネル部分のボディポテンシャルが、ソース及びドレインの電位とカップリングする。これにより、強誘電体層（ゲート絶縁層）に、より大きい電圧を印加することができ、より大きな自発分極反転を起こすこと（閾値を増加させること）ができる。
消費電力が低く、高い信頼性を有する不揮発性記憶素子２００を得ることができる。 |
技術概要) |
複数の不揮発性記憶素子を含む不揮発性記憶装置であって、
各不揮発性記憶素子は、 金属酸化物を含むチャネル層と、 前記チャネル層に接する酸化ハフニウムを含む強誘電体層と、 前記強誘電体層を介して前記チャネル層に対向する第１ゲート電極と、 前記チャネル層を介して前記強誘電体層に対向する絶縁層と、 前記絶縁層を介して前記チャネル層に対向する第２ゲート電極と、 を備え、 前記チャネル層の厚みが１０ｎｍ未満である、不揮発性記憶装置。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
アピール情報
| アピール内容 | 関連する技術資料は以下のURLにおいて掲載しています。 https://www.jst.go.jp/chizai/news/oshigijutsu60.html |
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登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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