| 出願番号 |
特願2021-086773 |
| 出願日 |
2021/5/24 |
| 出願人 |
国立大学法人福井大学 |
| 公開番号 |
特開2022-179946 |
| 公開日 |
2022/12/6 |
| 発明の名称 |
評価方法、評価システム、半導体素子の製造方法、及び半導体素子 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造、制御・ソフトウェア |
| 適用製品 |
評価方法、評価システム、半導体素子の製造方法、半導体素子における電極と半導体との界面を評価する技術 |
| 目的 |
半導体素子における電極と半導体との界面における電界分布を精度良く評価しやすい評価方法等を提供する。 |
| 効果 |
半導体素子における電極と半導体との界面における電界分布を精度良く評価しやすい評価方法等が提供される。 |
技術概要
 |
半導体素子における電極と半導体との界面に対して、フランツ・ケルディッシュ効果が発現し得る電界を印加する電界印加ステップと、
前記電界を印加した状態において、前記界面に対して、前記半導体のバンドギャップよりも小さいエネルギーを有しかつ前記電極の径よりも小さいビーム径を有する所定の光を照射しながら、前記界面を少なくとも１次元的に走査する第１走査ステップと、
前記第１走査ステップを行いながら、前記半導体素子を流れる光電流を計測することにより、前記界面における電界分布を評価する第１評価ステップと、を含む、
評価方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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