半導体装置とその製造方法

基本情報

出願番号	特願2021-007370
出願日	2017/2/28
出願人	国立大学法人　筑波大学
公開番号	特開2021-061451
公開日	2021/4/15
登録番号	特許第7360180号
特許権者	国立大学法人　筑波大学
発明の名称	半導体装置とその製造方法
技術分野	電気・電子
機能	機械・部品の製造
適用製品	太陽電池、薄膜トランジスタ（ディスプレイ）、受光センサー等に用いる半導体装置と、その製造方法
目的	基材にダメージを与える熱負荷を低減し、デバイス動作させたときに、従来よりも高いキャリア移動度や発電効率を実現する半導体装置と、その製造方法を提供する。
効果	デバイス動作させたときに、従来よりも高いキャリア移動度を実現することができる。基材にダメージを与えるような熱的負荷を軽減することができる。
技術概要	基材と、基材の一面に形成された半導体膜とを有し、前記半導体膜は、電子線後方散乱回折法によって得られる平均粒径が１μｍ以上５μｍ以下のＧｅからなる結晶粒子からなる多結晶Ｇｅ膜であり、正孔移動度が２５０ｃｍ↑２／Ｖ・ｓ以上３８０ｃｍ↑２／Ｖ・ｓ以下であることを特徴とする半導体装置。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者名称	国立大学法人筑波大学