量子ドットシート、これを用いた光電子デバイス、及び量子ドットシートの作製方法
- 開放特許情報番号
- L2024000366
- 開放特許情報登録日
- 2024/2/29
- 最新更新日
- 2024/2/29
基本情報
出願番号 | 特願2018-122024 |
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出願日 | 2018/6/27 |
出願人 | 国立大学法人電気通信大学 |
公開番号 | |
公開日 | 2020/1/9 |
登録番号 | |
特許権者 | 国立大学法人電気通信大学 |
発明の名称 | 量子ドットシート、これを用いた光電子デバイス、及び量子ドットシートの作製方法 |
技術分野 | 情報・通信、電気・電子、機械・加工 |
機能 | 機械・部品の製造 |
適用製品 | 量子ドットシート、これを用いた光電子デバイス、及び量子ドットシートの作製方法 |
目的 | 量子ドットを形成する基板材料の多様化を可能にし、かつ特性と構造の安定した量子ドットシートを提供する。 |
効果 | 特性の安定した無機材料の量子ドットシートが実現される。格子不整合系のエピタキシャル成長を基本とする従来の量子ドットの自己形成と異なり、半導体単結晶基板と量子ドットの材料の組み合わせに拘束されず、多様なデバイス応用が期待される。また、無機材料の量子ドットシートは多層構造にしてもナノメートルオーダーの薄さであり、弾性変形が可能である。フレキシブルシートとしての応用展開も期待される。 |
技術概要![]() |
無機誘電体層と、
前記無機誘電体層の一部を構成する無機誘電体薄膜の上に自己形成されて前記無機誘電体層の内部の所定の面内に分布する量子ドットと、 を有し、 前記量子ドットは、前記無機誘電体層の第1の領域に形成される第1の量子ドットグループと、前記無機誘電体層の面内方向で前記第1の領域と異なる第2の領域に形成される第2の量子ドットグループを含み、 前記第1の量子ドットグループと前記第2の量子ドットグループの組成が異なることを特徴とする量子ドットシート。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【否】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
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その他の情報
関連特許 |
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