受動Ｑスイッチレーザ装置
- 開放特許情報番号
- L2024000357
- 開放特許情報登録日
- 2024/2/28
- 最新更新日
- 2024/2/28
基本情報
| 出願番号 | 特願2016-002667 |
|---|---|
| 出願日 | 2016/1/8 |
| 出願人 | 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2017/7/13 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 |
| 発明の名称 | 受動Ｑスイッチレーザ装置 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | Ｑスイッチング技術を用いて高パワー・短パルスのレーザ光を出力する受動Ｑスイッチレーザ装置 |
| 目的 | 励起効率が高く且つ発振に至る遅延時間のジッターが小さい受動Ｑスイッチレーザ装置を提供する。 |
| 効果 | 励起光源からの励起光のパワー密度を、レーザ利得媒質の励起を開始してからＱスイッチ発振に至るまでの遅延時間（共振器寿命を考慮した実質的な励起時間）がレーザ利得媒質のレーザ上準位寿命に等しくなるパワー密度以上にするパワー密度制御装置を有するので、励起効率が高く且つＱスイッチ発振に至る遅延時間のジッターが小さい。 |
技術概要) |
共振器を形成するエンドミラー要素と出力ミラー要素と、
前記共振器内部に配置されたレーザ利得媒質と、 前記共振器内部に配置された可飽和吸収体と、 前記レーザ利得媒質を励起する励起光源と、 前記励起光源からの励起光のパワー密度Ｄを制御する駆動電源と光学系により構成されるパワー密度制御装置と、を有し、 前記レーザ利得媒質の励起時間幅を前記レーザ利得媒質のレーザ上準位寿命τに等しくしたときに出力が得られるのに必要な励起密度をＤ↓τとしたとき、 前記パワー密度制御装置は、前記パワー密度Ｄが次式 Ｄ／Ｄ↓τ≧１．３６ を満たすように制御することを特徴とする受動Ｑスイッチレーザ装置。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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