受動Qスイッチレーザ装置
- 開放特許情報番号
- L2024000357
- 開放特許情報登録日
- 2024/2/28
- 最新更新日
- 2024/2/28
基本情報
出願番号 | 特願2016-002667 |
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出願日 | 2016/1/8 |
出願人 | 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 |
公開番号 | |
公開日 | 2017/7/13 |
登録番号 | |
特許権者 | 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 |
発明の名称 | 受動Qスイッチレーザ装置 |
技術分野 | 電気・電子 |
機能 | 機械・部品の製造 |
適用製品 | Qスイッチング技術を用いて高パワー・短パルスのレーザ光を出力する受動Qスイッチレーザ装置 |
目的 | 励起効率が高く且つ発振に至る遅延時間のジッターが小さい受動Qスイッチレーザ装置を提供する。 |
効果 | 励起光源からの励起光のパワー密度を、レーザ利得媒質の励起を開始してからQスイッチ発振に至るまでの遅延時間(共振器寿命を考慮した実質的な励起時間)がレーザ利得媒質のレーザ上準位寿命に等しくなるパワー密度以上にするパワー密度制御装置を有するので、励起効率が高く且つQスイッチ発振に至る遅延時間のジッターが小さい。 |
技術概要 |
共振器を形成するエンドミラー要素と出力ミラー要素と、
前記共振器内部に配置されたレーザ利得媒質と、 前記共振器内部に配置された可飽和吸収体と、 前記レーザ利得媒質を励起する励起光源と、 前記励起光源からの励起光のパワー密度Dを制御する駆動電源と光学系により構成されるパワー密度制御装置と、を有し、 前記レーザ利得媒質の励起時間幅を前記レーザ利得媒質のレーザ上準位寿命τに等しくしたときに出力が得られるのに必要な励起密度をD↓τとしたとき、 前記パワー密度制御装置は、前記パワー密度Dが次式 D/D↓τ≧1.36 を満たすように制御することを特徴とする受動Qスイッチレーザ装置。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【否】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
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その他の情報
関連特許 |
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