| 出願番号 |
特願2019-210212 |
| 出願日 |
2019/11/21 |
| 出願人 |
国立大学法人秋田大学 |
| 公開番号 |
特開2021-080137 |
| 公開日 |
2021/5/27 |
| 登録番号 |
特許第7406790号 |
| 特許権者 |
国立大学法人秋田大学 |
| 発明の名称 |
窒化物半導体の結晶基板の製造方法及び窒化物半導体の結晶基板 |
| 技術分野 |
無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
窒化物半導体の製造方法及び窒化物半導体の結晶基板 |
| 目的 |
さまざまな成長条件と組成で非単結晶基板の表面上に成長した窒化ガリウムベースのナノ柱状結晶の配列を制御する。 |
| 効果 |
結晶基板の表面に垂直に成長した窒化ガリウムベースのナノ結晶をステアリング結晶として設けることにより、ナノ柱状結晶の配列の制御が可能である。特にステアリング結晶と垂直に成長することによりナノ柱状結晶も垂直に成長することができる。 |
技術概要
 |
分子線エピタキシー装置を用い窒素プラズマセルにより非単結晶基板の表面に窒素ガスを供給するとともにガリウム及びインジウムを供給することにより前記非単結晶基板の表面に窒化ガリウムベースのナノ結晶を垂直に成長させてステアリング結晶を成長する工程と、
前記ステアリング結晶上に窒化インジウムベースのナノ柱状結晶をさらに成長させる工程を含むことを特徴とする窒化物半導体の結晶基板の製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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