発光材料、及び蓄光材料

開放特許情報番号
L2024000187
開放特許情報登録日
2024/2/1
最新更新日
2024/2/1

基本情報

出願番号 特願2021-074894
出願日 2021/4/27
出願人 国立大学法人電気通信大学
公開番号 特開2021-175804
公開日 2021/11/4
発明の名称 発光材料、及び蓄光材料
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 発光材料、蓄光材料、表示媒体、インク
目的 大きな蓄光の量子収率と輝度を示す蓄光材料およびそれを用いた物品を提供する。
効果 大きな蓄光の量子収率と輝度を示す蓄光材料およびそれを用いた物品を提供することができる。
技術概要
密度汎関数法において汎関数B3LYPと基底関数6−31G(d)を用いて最低励起三重項状態T↓1の分子構造を最適化し、
最低励起三重項状態T↓1の最適化構造において高次一重項励起状態S↓nと基底状態S↓0の間の遷移双極子モーメント(μ↓(Sn−S0))、S↓nとT↓1の間のスピン軌道相互作用(SOC↓(Sn−T1))、及びS↓nとT↓1とのエネルギー差(E↓(Sn−T1))の関係において、
P↓n=μ↓(Sn−S0)SOC↓(Sn−T1)/E↓(Sn−T1)と定義するとき、
密度汎関数法において汎関数PBE0と基底関数TZPを用いて計算した(Σ↓nP↓n)↑2の範囲が4.00×10↑(−7)D↑2以上で、
T↓1とS↓0のスピン軌道相互作用(SOC↓(T1−S0))の2乗が1×10↑1cm↑(−2)以下で、
密度汎関数法において汎関数B3LYPと基底関数6−31G(d)を用いて最適化した基底状態S↓0の最適化構造と最低一重項励起状態S↓1の最適化構造のいずれかにおいて、S↓1とS↓0の間の振動子強度(f↓(S1−S0))が0.2以下である分子からなる、発光材料。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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