半導体、トランジスタおよび半導体の製造方法

基本情報

出願番号	特願2021-168710
出願日	2021/10/14
出願人	国立大学法人　筑波大学
公開番号	特開2023-058917
公開日	2023/4/26
発明の名称	半導体、トランジスタおよび半導体の製造方法
技術分野	無機材料、電気・電子
機能	材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品	半導体、トランジスタおよび半導体の製造方法
目的	導通損失の小さい半導体、トランジスタおよび半導体の製造方法を提供する。
効果	導通損失の小さい半導体、トランジスタおよび半導体の製造方法を提供することができる。
技術概要	基板に直接または他の層を介して形成されたｎ型α－（Ａｌ↓ｘＧａ↓（１－ｘ））↓２Ｏ↓３（１≧Ｘ≧０．７）単結晶膜を備え、前記ｎ型α－（Ａｌ↓ｘＧａ↓（１－ｘ））↓２Ｏ↓３単結晶膜のキャリア濃度は、１×１０↑（１７）／ｃｍ↑３以上である、ことを特徴とする半導体。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者名称	国立大学法人筑波大学