半導体装置及びその製造方法

基本情報

出願番号	特願2022-040483
出願日	2022/3/15
出願人	国立大学法人　筑波大学
公開番号	特開2023-135330
公開日	2023/9/28
発明の名称	半導体装置及びその製造方法
技術分野	電気・電子
機能	機械・部品の製造
適用製品	薄膜トランジスタ、太陽電池、受光センサ等に用いる半導体装置及びその製造方法
目的	多結晶Ｇｅ膜において結晶欠陥が抑制され、従来よりも低い正孔密度を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
効果	従来の多結晶Ｇｅ又は多結晶ＳｉＧｅよりもドーピングによって制御できるｐ型又はｎ型キャリア濃度の範囲を広げることができ、Ｇｅを含む半導体装置における性能向上を図ることができる。
技術概要	基材と、前記基材の一面に形成された半導体膜を有し、前記半導体膜は、平均粒径が１μｍ以上の結晶粒子で構成される、ノンドープの多結晶Ｇｅ膜であり、前記半導体膜の正孔密度が１×１０↑１７ｃｍ↑－３以下である、半導体装置。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者名称	国立大学法人筑波大学