適用製品
薄膜トランジスタ、太陽電池、受光センサ等に用いる半導体装置及びその製造方法
目的
多結晶Ｇｅ膜において結晶欠陥が抑制され、従来よりも低い正孔密度を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
効果
従来の多結晶Ｇｅ又は多結晶ＳｉＧｅよりもドーピングによって制御できるｐ型又はｎ型キャリア濃度の範囲を広げることができ、Ｇｅを含む半導体装置における性能向上を図ることができる。
技術概要
基材と、前記基材の一面に形成された半導体膜を有し、
前記半導体膜は、平均粒径が１μｍ以上の結晶粒子で構成される、ノンドープの多結晶Ｇｅ膜であり、
前記半導体膜の正孔密度が１×１０↑１７ｃｍ↑−３以下である、半導体装置。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
