| 出願番号 |
特願2022-019544 |
| 出願日 |
2022/2/10 |
| 出願人 |
学校法人日本大学 |
| 公開番号 |
特開2023-117062 |
| 公開日 |
2023/8/23 |
| 発明の名称 |
半導体材料、光電変換素子、ＬＥＤ素子、及び半導体材料の製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、化学・薬品 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
半導体材料、光電変換素子、ＬＥＤ素子、及び半導体材料の製造方法 |
| 目的 |
組成元素の一部が欠損するのを抑制し、結晶性の高いペロブスカイト酸化物で構成された半導体材料、該半導体材料で構成された半導体層を備える光電変換素子、ＬＥＤ素子、及び半導体材料の製造方法を提供する。 |
| 効果 |
組成元素の一部が欠損するのを抑制し、結晶性の高いペロブスカイト酸化物で構成された半導体材料、該半導体材料で構成された半導体層を備えるＬＥＤ素子及び光電変換素子、並びに上記半導体材料の製造方法を提供することができる。 |
技術概要
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一般式ＡＢＸ↓３（式中、ＡはＣｓ又はＣＨ↓３ＮＨ↓３であり、ＢはＰｂ又はＳｎであり、ＸはＢｒ，Ｉ及びＣｌからなる群から選択されるいずれかの元素である）…（１）で示されるハライド化金属ペロブスカイトで構成された半導体材料。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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