適用製品
光電変換素子及びその製造方法並びに積層型撮像素子
目的
逆バイアス電圧印加時に時間的に安定な光電流値が得られる光電変換素子を提供する。
効果
逆バイアス電圧印加時に時間的に安定な光電流値が得られる光電変換素子を提供することができる。
技術概要
スズがドープされた酸化ガリウム膜と、
結晶セレン膜と、
前記酸化ガリウム膜及び前記結晶セレン膜を接合する接合膜と、を備え、
前記酸化ガリウム膜における前記スズの原子百分率が６．０ａｔｏｍ％以上９．０ａｔｏｍ％以下であることを特徴とする光電変換素子。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
