光電変換素子及びその製造方法並びに積層型撮像素子
- 開放特許情報番号
- L2023001532
- 開放特許情報登録日
- 2023/12/6
- 最新更新日
- 2023/12/6
基本情報
| 出願番号 | 特願2019-193719 |
|---|---|
| 出願日 | 2019/10/24 |
| 出願人 | 日本放送協会 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2021/4/30 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 日本放送協会 |
| 発明の名称 | 光電変換素子及びその製造方法並びに積層型撮像素子 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 光電変換素子及びその製造方法並びに積層型撮像素子 |
| 目的 | 逆バイアス電圧印加時に時間的に安定な光電流値が得られる光電変換素子を提供する。 |
| 効果 | 逆バイアス電圧印加時に時間的に安定な光電流値が得られる光電変換素子を提供することができる。 |
技術概要) |
スズがドープされた酸化ガリウム膜と、
結晶セレン膜と、 前記酸化ガリウム膜及び前記結晶セレン膜を接合する接合膜と、を備え、 前記酸化ガリウム膜における前記スズの原子百分率が６．０ａｔｏｍ％以上９．０ａｔｏｍ％以下であることを特徴とする光電変換素子。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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