| 出願番号 |
特願2021-134599 |
| 出願日 |
2021/8/20 |
| 出願人 |
学校法人金沢工業大学 |
| 公開番号 |
特開2023-028725 |
| 公開日 |
2023/3/3 |
| 登録番号 |
特許第7654256号 |
| 特許権者 |
学校法人金沢工業大学 |
| 発明の名称 |
マルチフィンガー半導体構造 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
制御・ソフトウェア |
| 適用製品 |
マルチフィンガー半導体構造 |
| 目的 |
Ｉ↓ｄ−Ｖ↓ｇ特性に乱れを生じることなく、ＰＮＢＴＳＯＩ−ＦＥＴ同士を並列接続する。 |
| 効果 |
Ｉ↓ｄ−Ｖ↓ｇ特性に乱れを生じることなく、ＰＮＢＴＳＯＩ−ＦＥＴ同士を並列接続することができる。 |
技術概要
 |
ソースと、ドレインと、第１ゲートと、ボディコンタクト部と、を含むＭＯＳＦＥＴを備え、前記ボディコンタクト部と前記ソースおよび前記ドレインとの間に、前記ボディコンタクト部の不純物の型と反対の型の半導体層を備えた複数の単位半導体構造を並列にマルチフィンガー接続したマルチフィンガー半導体構造であって、
前記ボディコンタクト部および前記半導体層は、一体化されていることを特徴とするマルチフィンガー半導体構造。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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