イオン伝導性電解質膜およびイオン伝導性電解質膜と水素極との接合体の検査方法
- 開放特許情報番号
- L2023001240
- 開放特許情報登録日
- 2023/10/20
- 最新更新日
- 2023/10/20
基本情報
出願番号 | 特願2008-204653 |
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出願日 | 2008/8/7 |
出願人 | 株式会社アツミテック、本田技研工業株式会社 |
公開番号 | |
公開日 | 2009/4/16 |
登録番号 | |
特許権者 | 株式会社アツミテック |
発明の名称 | イオン伝導性電解質膜およびイオン伝導性電解質膜と水素極との接合体の検査方法 |
技術分野 | 電気・電子 |
機能 | 検査・検出 |
適用製品 | イオン伝導性電解質膜および該電解質膜と水素極との接合体の検査方法 |
目的 | イオン伝導性電解質膜および該電解質膜と水素極との接合体の検査方法を提供する。 |
効果 | イオン伝導性電解質膜の水素イオン伝導性の均一性を直接的に検査することができ、均一な水素イオン伝導性を有する水素イオン伝導性電解質膜、および燃料電池の膜電極接合体の選別が可能となる。 |
技術概要![]() |
イオン伝導性電解質膜の検査方法であって、
前記イオン伝導性電解質膜の一方の面に調光薄膜を、前記イオン伝導性電解質膜の他方の面に水素極を、それぞれ接合し、前記調光薄膜と前記水素極との間に電気回路を接続し、 水素ガスを前記水素極側の空間に供給して前記水素極によってイオン化し、 前記イオン化で生じた電子を前記電気回路経由で前記水素極から前記調光薄膜に供給するとともに、前記イオン化で生じた水素イオンを前記水素極から前記イオン伝導性電解質膜を透過させて前記調光薄膜に供給し、 前記調光薄膜に到達した前記水素イオンで前記調光薄膜を水素化して、 前記水素化で生じる前記調光薄膜の光学的反射率の変化の均一性によって、前記イオン伝導性電解質膜の水素イオン伝導性の均一性を検査することを特徴とするイオン伝導性電解質膜の検査方法。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【否】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
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その他の情報
関連特許 |
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