| 出願番号 |
特願2007-179606 |
| 出願日 |
2007/7/9 |
| 出願人 |
株式会社アツミテック |
| 公開番号 |
特開2009-014648 |
| 公開日 |
2009/1/22 |
| 登録番号 |
特許第5049063号 |
| 特許権者 |
株式会社アツミテック |
| 発明の名称 |
イオン伝導性電解質膜の検査方法および検査装置 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
検査・検出 |
| 適用製品 |
イオン伝導性電解質膜の検査方法 |
| 目的 |
電解質膜の欠陥部を高感度で検知する検査方法、電解質膜における水素イオン伝導性の均一性の検査方法、および電解質膜の欠陥部と水素イオン伝導性を連続した工程で検査する装置を提供する。 |
| 効果 |
電解質膜の欠陥部に起因する漏洩水素ガスを電解質膜の表面において高感度に検知できるから、電解質膜の欠陥部を迅速に検査できる。 |
技術概要
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薄膜層を設けた検知膜をイオン伝導性電解質膜の一方の面に接合し、
水素ガスを前記電解質膜の他方の面側の空間に供給して、
前記電解質膜に欠陥部があるときには、前記欠陥部を通じて前記水素ガスを前記電解質膜の他方の面から一方の面へと漏洩させて、前記欠陥部近傍の前記薄膜層を水素化し、
前記水素化で生じる前記薄膜層の電気抵抗の変化を検知して、前記欠陥部の有無を検査することを特徴とするイオン伝導性電解質膜の検査方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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