| 出願番号 |
特願2007-230133 |
| 出願日 |
2007/9/5 |
| 出願人 |
株式会社アツミテック |
| 公開番号 |
特開2009-064624 |
| 公開日 |
2009/3/26 |
| 登録番号 |
特許第5150173号 |
| 特許権者 |
株式会社アツミテック |
| 発明の名称 |
イオン伝導性電解質膜の検査方法および検査装置 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
検査・検出 |
| 適用製品 |
水素イオン伝導性電解質膜の検査装置 |
| 目的 |
電解質膜の欠陥部の位置と水素イオン伝導性の均一性を連続した工程で検査できるイオン伝導性電解質膜の検査方法および検査装置を提供する。 |
| 効果 |
電解質膜に接合された調光薄膜の光学的反射率の変化に基づき、電解質膜の欠陥部と水素イオン伝導性の均一性を極めて迅速かつ高感度に検査できる。しかも、該検査方法および検査装置は、スイッチを操作することで、電解質膜の欠陥部と水素イオン伝導性の均一性を連続した工程で検査でき、よって検査のコスト削減も実現できる。 |
技術概要
 |
本発明にかかる検査方法を実施する検査装置は、調光薄膜と水素極を両面に接合した水素イオン伝導性電解質膜を検査対象として、水素極側の空間を形成する容器と、調光薄膜と水素極との間にスイッチを介して電気的に接続される電気回路とを有している。該検査装置は、スイッチがオフの状態で水素極側の空間に水素ガスを供給し、電解質膜の欠陥部を通じて漏洩する水素ガスで調光薄膜を水素化して、水素化で生じる調光薄膜の光学的反射率の変化で欠陥部の有無を検査し、またスイッチがオンの状態で水素極側の空間に水素ガスを供給し、イオン化で生じた水素イオンを水素極から電解質膜を透過させて調光薄膜を水素化し、水素化で生じる調光薄膜の光学的反射率の変化の均一性によって、電解質膜の水素イオン伝導性の均一性を検査する。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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