イオン伝導性電解質膜の検査方法

開放特許情報番号

L2023001235

開放特許情報登録日

2023/10/19

最新更新日

2023/10/19

基本情報

出願番号	特願2007-157515
出願日	2007/6/14
出願人	株式会社アツミテック
公開番号	特開2008-311060
公開日	2008/12/25
登録番号	特許第5150144号
特許権者	株式会社アツミテック
発明の名称	イオン伝導性電解質膜の検査方法
技術分野	電気・電子
機能	検査・検出
適用製品	イオン伝導性電解質膜の欠陥部の検査方法
目的	イオン伝導性電解質膜におけるピンホール等の検査方法を提供する。
効果	イオン伝導性電解質膜の欠陥部を、漏洩水素ガスによって生じる調光薄膜の光学的反射率の変化で直接的かつ迅速に検査することができる。
技術概要	イオン伝導性電解質膜の検査方法であって、 前記電解質膜の一方の面に調光薄膜を接合し、 水素ガスを前記電解質膜の他方の面側の空間に供給して、 前記電解質膜にガスの漏洩を生じさせる欠陥部があるときには、前記欠陥部を通じて前記水素ガスを前記電解質膜の他方の面から前記電解質膜の一方の面へと漏洩させて、 漏洩した前記水素ガスで前記調光薄膜を水素化して、 前記水素化で生じる前記調光薄膜の光学的反射率の変化によって、前記電解質膜の前記欠陥部の有無を検査することを特徴とするイオン伝導性電解質膜の検査方法。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	株式会社アツミテック

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【有】
追加情報	パテントファミリー単位でのライセンスとなります。