磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法

開放特許情報番号
L2023001121
開放特許情報登録日
2023/8/24
最新更新日
2023/8/24

基本情報

出願番号 特願2014-068652
出願日 2014/3/28
出願人 三菱マテリアル株式会社
公開番号 特開2015-190018
公開日 2015/11/2
登録番号 特許第6213342号
特許権者 三菱マテリアル株式会社
発明の名称 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法
技術分野 金属材料、情報・通信
機能 材料・素材の製造
適用製品 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法
目的 FeNiPtによる磁気記録膜の形成に使用され、ターゲット表面のPTFを向上させ、安定したスパッタリングを可能とした磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
効果 ターゲット表面のPTFが向上し、安定したスパッタリングが可能となる。
高い生産性をもってHDD用の高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に、垂直磁気記録用又は熱アシスト磁気記録用に適用される良好な磁気記録膜を得ることができる。
技術概要
組成式:(Fe↓xPt↓(100−x))↓(100−y)Ni↓y(ただし、30≦x≦80、1≦y≦20)で表される成分組成からなる焼結体であって、
前記焼結体は、FePt相とNiPt相とが分散している組織を有していることを特徴とする磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
Copyright © 2023 INPIT