| 出願番号 |
特願2012-012629 |
| 出願日 |
2012/1/25 |
| 出願人 |
三菱マテリアル株式会社 |
| 公開番号 |
特開2012-178211 |
| 公開日 |
2012/9/13 |
| 登録番号 |
特許第5041262号 |
| 特許権者 |
三菱マテリアル株式会社 |
| 発明の名称 |
磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| 技術分野 |
情報・通信、金属材料、機械・加工 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| 目的 |
規則化温度を低下させたＦｅＰｔＡｇ−Ｃ膜を成膜することができると共にパーティクルの発生が抑制可能な磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 |
| 効果 |
規則化温度を低下させたＦｅＰｔＡｇ−Ｃ膜を成膜できると共に、スパッタリング時の異常放電の発生を抑制することができる。
高い生産性をもってＨＤＤ用高密度磁気記録媒体に適用される低規則化温度の磁気記録膜、特に垂直磁気記録用または熱アシスト磁気記録用に適用される良好な磁気記録膜を得ることができる。 |
技術概要
 |
一般式：｛（Ｆｅ↓ｘＰｔ↓（１００−ｘ））↓（１００−ｙ）Ａｇ↓ｙ｝↓（１００−ｚ）Ｃ↓ｚ、ここで原子比により３０≦ｘ≦８０、１≦ｙ≦３０、３≦ｚ≦６３で表される組成を有した焼結体からなることを特徴とする磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。 |
| 実施実績 |
【試作】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)