絶縁ゲートバイポーラトランジスタおよびゲートドライバ回路

開放特許情報番号

L2023001110

開放特許情報登録日

2023/8/29

最新更新日

2023/8/29

基本情報

出願番号	特願2021-106005
出願日	2021/6/25
出願人	国立大学法人九州工業大学
公開番号	特開2023-004377
公開日	2023/1/17
発明の名称	絶縁ゲートバイポーラトランジスタおよびゲートドライバ回路
技術分野	電気・電子
機能	機械・部品の製造
適用製品	絶縁ゲートバイポーラトランジスタおよびこれを駆動するゲートドライバ回路
目的	ｐ型ベース層と高濃度ｎ型層との接合部の電圧を抑え、耐ノイズ性の向上と導通抵抗の低減を図ることで、高性能な絶縁ゲートバイポーラトランジスタおよびゲートドライバ回路を提供する。
効果	高濃度ｎ型層の不純物濃度を調整したり、絶縁膜の厚みを調整したりすることで、ｐ型ベース層と高濃度ｎ型層との接合部の電圧を抑え、耐ノイズ性の向上と導通抵抗の低減を図ることが可能である。
技術概要	ｎ型ベース層と、 前記ｎ型ベース層の厚み方向の一方の面側に配置され、コレクタ電極と導通するｐ型コレクタ層と、 前記ｎ型ベース層の厚み方向の他方の面に積層され、不純物濃度の平均濃度が前記ｎ型ベース層よりも高い高濃度ｎ型層と、 前記高濃度ｎ型層に積層されたｐ型ベース層と、 前記ｐ型ベース層に積層されたｎ型ソース層と、 前記ｐ型ベース層および前記ｎ型ソース層に接続されたエミッタ電極と、 前記ｎ型ソース層から前記ｎ型ベース層に至る深さ方向に向かって形成されたトレンチの内面を覆う絶縁膜と、 前記絶縁膜の内部に形成されたゲートとを備え、 前記ゲートは、ゲート電極と接続され、前記ｎ型ソース層から前記高濃度ｎ型層に至る深さ位置まで形成された第１ゲートと、前記第１ゲートより前記トレンチの深い位置に分離用絶縁膜を介して形成され、前記エミッタ電極の電位に固定された第２ゲートとを備え、 前記絶縁膜は、前記第２ゲートに対応する位置の厚みがほぼ一定に形成され、 前記高濃度ｎ型層の不純物濃度は、前記第１ゲートの下端位置側よりも、前記第２ゲートの下端側の方が高くなる領域を有する絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立大学法人九州工業大学

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】