エッチング方法および半導体装置
- 開放特許情報番号
- L2023001092
- 開放特許情報登録日
- 2023/8/22
- 最新更新日
- 2023/8/22
基本情報
| 出願番号 | 特願2021-174857 |
|---|---|
| 出願日 | 2021/10/26 |
| 出願人 | 国立大学法人九州工業大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2023/5/11 |
| 発明の名称 | エッチング方法および半導体装置 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | ｈ−ＢＮ（六方晶窒化ホウ素）を含む半導体装置を製造するときに用いられるエッチング方法およびこのエッチング方法による半導体装置 |
| 目的 | ｈ−ＢＮ膜を所望とする形状にパターニングを可能とすることで、ｈ−ＢＮ膜の効果が発揮できる半導体装置が得られるエッチング方法および半導体装置を提供する。 |
| 効果 | ｈ−ＢＮ膜を所望とする形状にパターニングを可能とすることで、ｈ−ＢＮ膜の効果が発揮できる半導体装置が得られる。 |
技術概要) |
ｈ−ＢＮ膜をエッチングするエッチング方法であって、前記ｈ−ＢＮ膜をエッチングするエッチングガスとしてＦ↓２ガスを含むガスを導入して反応性イオンエッチングするステップを含むエッチング方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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