目的
強磁性体の磁化の向きを高速に反転、制御することができる磁化制御デバイス及び磁気メモリ装置を実現する。
効果
強磁性体の磁化の向きを高速もしくは低消費電力で反転、制御することができる磁化制御デバイス及び磁気メモリ装置を実現することができる。
技術概要
第１方向に磁化された第１の強磁性体と、
前記第１方向に交差する第２方向に延伸する第１の非磁性金属と、
を備え、
前記第１の非磁性金属は、前記第１方向において、前記第１の強磁性体よりも短い長さを有する第１の注入領域を有し、
前記第１の非磁性金属は、前記第１の注入領域において前記第１の強磁性体の一部分と対向している磁化制御デバイス。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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