磁化制御デバイス及び磁気メモリ装置

開放特許情報番号

L2023000839

開放特許情報登録日

2023/7/11

最新更新日

2024/10/29

基本情報

出願番号	特願2021-063692
出願日	2021/4/2
出願人	学校法人　関西大学
公開番号	特開2022-158651
公開日	2022/10/17
登録番号	特許第7555120号
特許権者	学校法人　関西大学
発明の名称	磁化制御デバイス及び磁気メモリ装置
技術分野	電気・電子
機能	機械・部品の製造
適用製品	磁化制御デバイス及び磁気メモリ装置
目的	外部磁場や電圧などを用いること無く、スピン軌道トルク磁化反転に基づいて強磁性金属層の磁化を反転させ、トルクを与え続けても磁化を片方の向きに留まらせることができる磁化制御デバイス及び磁気メモリ装置を実現する。
効果	簡素な構成により、外部磁場や電圧などを用いること無く、スピン軌道トルク磁化反転に基づいて強磁性金属層の磁化を反転させ、トルクを与え続けても磁化を片方の向きに留まらせることができる。
技術概要	第１方向に延伸する第１の非磁性金属と、 第１の強磁性体と、 を備え、 前記第１の強磁性体の少なくとも一部は、前記第１の非磁性金属の少なくとも一つの縁と、第２方向に積層され、 前記第１の非磁性金属の前記第２方向のスピンが、前記第１の強磁性体に注入されることにより、前記第１の強磁性体のスピンの向きが変化する磁化制御デバイス。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	関西大学

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】