光電変換素子、光電変換装置、光電変換素子前駆体、光の検出方法、および光電変換素子の製造方法

開放特許情報番号

L2023000774

開放特許情報登録日

2023/6/28

最新更新日

2024/3/26

基本情報

出願番号	特願2020-571137
出願日	2020/1/30
出願人	国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号	WO2020/162317
公開日	2020/8/13
登録番号	特許第7356157号
特許権者	国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称	光電変換素子、光電変換装置、光の検出方法、および光電変換素子の製造方法
技術分野	電気・電子
機能	機械・部品の製造、検査・検出
適用製品	光電変換素子、光電変換装置、光電変換素子前駆体、光の検出方法、および光電変換素子の製造方法
目的	微弱な光信号に対し、環境負荷を低く抑えつつ、高効率、高感度、高速で応答することを可能とする、光電変換素子、光電変換装置、光電変換素子前駆体、光の検出方法、および光電変換素子の製造方法を提供する。
効果	微弱な光信号に対し、環境負荷を低く抑えつつ、高効率、高感度、高速で応答することを可能とする、光電変換素子、光電変換装置、光電変換素子前駆体、光の検出方法、および光電変換素子の製造方法を提供することができる。
技術概要	無機半導体を主成分として含む複数の粒子またはその凝集体あるいは薄膜によって構成される第一層と、 前記粒子またはその凝集体の表面に対し、ペロブスカイト構造体を主成分として含む複数の粒子またはその凝集体あるいは薄膜によって構成される第二層と、 有機金属錯体を主成分として含む複数の粒子またはその凝集体あるいは薄膜によって構成される第三層と、を順に積層してなり、 伝導帯において、前記第二層のエネルギー準位が前記第一層のエネルギー準位より高く、かつ前記第三層のエネルギー準位が前記第二層のエネルギー準位より高く、 価電子帯における前記第二層のエネルギー準位が、前記第三層のエネルギー準位より高いことを特徴とする光電変換素子。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

アピール情報

アピール内容	関連する技術資料は以下のURLにおいて掲載しています。 https://www.jst.go.jp/chizai/news/oshigijutsu36.html

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】