光電変換素子、光電変換装置、光電変換素子前駆体、光の検出方法、および光電変換素子の製造方法
- 開放特許情報番号
- L2023000774
- 開放特許情報登録日
- 2023/6/28
- 最新更新日
- 2023/9/26
基本情報
| 出願番号 | 特願2020-571137 |
|---|---|
| 出願日 | 2020/1/30 |
| 出願人 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2020/8/13 |
| 発明の名称 | 光電変換素子、光電変換装置、光の検出方法、および光電変換素子の製造方法 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造、検査・検出 |
| 適用製品 | 光電変換素子、光電変換装置、光電変換素子前駆体、光の検出方法、および光電変換素子の製造方法 |
| 目的 | 微弱な光信号に対し、環境負荷を低く抑えつつ、高効率、高感度、高速で応答することを可能とする、光電変換素子、光電変換装置、光電変換素子前駆体、光の検出方法、および光電変換素子の製造方法を提供する。 |
| 効果 | 微弱な光信号に対し、環境負荷を低く抑えつつ、高効率、高感度、高速で応答することを可能とする、光電変換素子、光電変換装置、光電変換素子前駆体、光の検出方法、および光電変換素子の製造方法を提供することができる。 |
技術概要) |
無機半導体を主成分として含む複数の粒子またはその凝集体あるいは薄膜によって構成される第一層と、
前記粒子またはその凝集体の表面に対し、ペロブスカイト構造体を主成分として含む複数の粒子またはその凝集体あるいは薄膜によって構成される第二層と、 有機金属錯体を主成分として含む複数の粒子またはその凝集体あるいは薄膜によって構成される第三層と、を順に積層してなり、 伝導帯において、前記第二層のエネルギー準位が前記第一層のエネルギー準位より高く、かつ前記第三層のエネルギー準位が前記第二層のエネルギー準位より高く、 価電子帯における前記第二層のエネルギー準位が、前記第三層のエネルギー準位より高いことを特徴とする光電変換素子。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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