| 出願番号 |
特願2020-513120 |
| 出願日 |
2019/3/4 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
WO2019/198384 |
| 公開日 |
2019/10/17 |
| 登録番号 |
特許第6945252号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 |
六方晶系６Ｈ型バリウムゲルマニウム酸化物、その製造方法、焼結体、および、ターゲット |
| 技術分野 |
化学・薬品 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
バリウムゲルマニウム酸化物、その製造方法、焼結体、および、ターゲット |
| 目的 |
４ｅＶ以下のバンドギャップを有するバリウムゲルマニウム酸化物、その製造方法、焼結体、および、ターゲットを提供する。 |
| 効果 |
六方晶系６Ｈ型ペロブスカイト構造を有することができる。このようにして、結晶の対称性が下がり、バンドギャップを４ｅＶ
以下に下げることができるであろう。このようなバリウムゲルマニウム酸化物は、ドーパントや欠陥制御により透明導電性物質となり得る。 |
技術概要
 |
一般式ＡＢＯ↓３（ただし、Ａは、少なくともＢａを含有し、Ｂは、少なくともＧｅを含有する）で示される結晶を含有し、
前記ＡＢＯ↓３で示される結晶は、六方晶系６Ｈ型ペロブスカイト構造を有する、バリウムゲルマニウム酸化物。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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