磁気抵抗効果素子、磁気センサ、再生ヘッドおよび磁気記録再生装置

開放特許情報番号
L2023000689
開放特許情報登録日
2023/6/16
最新更新日
2023/6/16

基本情報

出願番号 特願2020-558074
出願日 2019/6/27
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 WO2020/110360
公開日 2020/6/4
登録番号 特許第7136492号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 磁気抵抗効果素子、磁気センサ、再生ヘッドおよび磁気記録再生装置
技術分野 情報・通信、電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 磁気抵抗効果素子、磁気センサ、再生ヘッドおよび磁気記録再生装置
目的 大きな磁気抵抗変化率(MR比)を有する磁気抵抗効果素子、ならびに、その大きなMR比による磁場に対する高い感度を有する磁気センサ、再生ヘッドおよび磁気記録再生装置を提供する。
効果 強磁性層と非磁性層との間の界面は良好に整合するため、界面においてスピン電子の透過率が増大し、MR比が顕著に向上する。
技術概要
磁気抵抗効果膜を備えた磁気抵抗効果素子であって、
前記磁気抵抗効果膜は、少なくとも、一対の強磁性層と、前記一対の強磁性層の間に位置する非磁性層とを備え、
前記一対の強磁性層のそれぞれは、体心立方(bcc)の結晶構造を有し、一般式Co↓(100−p)Fe↓pで表される層(パラメータpは、0≦p≦75を満たし、前記一対の強磁性層のそれぞれにおけるpは、同一または別異である)であり、
前記非磁性層は、体心立方(bcc)の結晶構造を有し、Cuからなる層であり、
前記一対の強磁性層、および、前記非磁性層のそれぞれは、単結晶(001)層であるか、または、(001)結晶面に優先配向し、
前記磁気抵抗効果膜の面内方向に電流を流すCIP型である、磁気抵抗効果素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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