磁気抵抗効果素子、磁気センサ、再生ヘッドおよび磁気記録再生装置

開放特許情報番号:L2023000689 開放特許情報登録日:2023/6/16 最新更新日:2023/6/16

基本情報
出願番号
公開番号
WO2020/110360
登録番号
出願日
2019/6/27
公開日
2020/6/4
出願人
国立研究開発法人物質・材料研究機構
特許権者
国立研究開発法人物質・材料研究機構
権利化状況
権利化済
発明の名称
磁気抵抗効果素子、磁気センサ、再生ヘッドおよび磁気記録再生装置
開放特許情報
技術分野
情報・通信 電気・電子
機能
機械・部品の製造
適用製品
磁気抵抗効果素子、磁気センサ、再生ヘッドおよび磁気記録再生装置
目的
大きな磁気抵抗変化率(MR比)を有する磁気抵抗効果素子、ならびに、その大きなMR比による磁場に対する高い感度を有する磁気センサ、再生ヘッドおよび磁気記録再生装置を提供する。
効果
強磁性層と非磁性層との間の界面は良好に整合するため、界面においてスピン電子の透過率が増大し、MR比が顕著に向上する。
技術概要
磁気抵抗効果膜を備えた磁気抵抗効果素子であって、
前記磁気抵抗効果膜は、少なくとも、一対の強磁性層と、前記一対の強磁性層の間に位置する非磁性層とを備え、
前記一対の強磁性層のそれぞれは、体心立方(bcc)の結晶構造を有し、一般式Co↓(100−p)Fe↓pで表される層(パラメータpは、0≦p≦75を満たし、前記一対の強磁性層のそれぞれにおけるpは、同一または別異である)であり、
前記非磁性層は、体心立方(bcc)の結晶構造を有し、Cuからなる層であり、
前記一対の強磁性層、および、前記非磁性層のそれぞれは、単結晶(001)層であるか、または、(001)結晶面に優先配向し、
前記磁気抵抗効果膜の面内方向に電流を流すCIP型である、磁気抵抗効果素子。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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