磁気抵抗効果素子、磁気センサ、再生ヘッドおよび磁気記録再生装置
- 開放特許情報番号
- L2023000689
- 開放特許情報登録日
- 2023/6/16
- 最新更新日
- 2023/6/16
基本情報
出願番号 | 特願2020-558074 |
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出願日 | 2019/6/27 |
出願人 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
公開番号 | |
公開日 | 2020/6/4 |
登録番号 | |
特許権者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
発明の名称 | 磁気抵抗効果素子、磁気センサ、再生ヘッドおよび磁気記録再生装置 |
技術分野 | 情報・通信、電気・電子 |
機能 | 機械・部品の製造 |
適用製品 | 磁気抵抗効果素子、磁気センサ、再生ヘッドおよび磁気記録再生装置 |
目的 | 大きな磁気抵抗変化率(MR比)を有する磁気抵抗効果素子、ならびに、その大きなMR比による磁場に対する高い感度を有する磁気センサ、再生ヘッドおよび磁気記録再生装置を提供する。 |
効果 | 強磁性層と非磁性層との間の界面は良好に整合するため、界面においてスピン電子の透過率が増大し、MR比が顕著に向上する。 |
技術概要![]() |
磁気抵抗効果膜を備えた磁気抵抗効果素子であって、
前記磁気抵抗効果膜は、少なくとも、一対の強磁性層と、前記一対の強磁性層の間に位置する非磁性層とを備え、 前記一対の強磁性層のそれぞれは、体心立方(bcc)の結晶構造を有し、一般式Co↓(100−p)Fe↓pで表される層(パラメータpは、0≦p≦75を満たし、前記一対の強磁性層のそれぞれにおけるpは、同一または別異である)であり、 前記非磁性層は、体心立方(bcc)の結晶構造を有し、Cuからなる層であり、 前記一対の強磁性層、および、前記非磁性層のそれぞれは、単結晶(001)層であるか、または、(001)結晶面に優先配向し、 前記磁気抵抗効果膜の面内方向に電流を流すCIP型である、磁気抵抗効果素子。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【否】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
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その他の情報
関連特許 |
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