磁気抵抗効果素子、磁気センサ、再生ヘッドおよび磁気記録再生装置
- 開放特許情報番号
- L2023000689
- 開放特許情報登録日
- 2023/6/16
- 最新更新日
- 2023/6/16
基本情報
| 出願番号 | 特願2020-558074 |
|---|---|
| 出願日 | 2019/6/27 |
| 出願人 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2020/6/4 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 | 磁気抵抗効果素子、磁気センサ、再生ヘッドおよび磁気記録再生装置 |
| 技術分野 | 情報・通信、電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | 磁気抵抗効果素子、磁気センサ、再生ヘッドおよび磁気記録再生装置 |
| 目的 | 大きな磁気抵抗変化率（ＭＲ比）を有する磁気抵抗効果素子、ならびに、その大きなＭＲ比による磁場に対する高い感度を有する磁気センサ、再生ヘッドおよび磁気記録再生装置を提供する。 |
| 効果 | 強磁性層と非磁性層との間の界面は良好に整合するため、界面においてスピン電子の透過率が増大し、ＭＲ比が顕著に向上する。 |
技術概要) |
磁気抵抗効果膜を備えた磁気抵抗効果素子であって、
前記磁気抵抗効果膜は、少なくとも、一対の強磁性層と、前記一対の強磁性層の間に位置する非磁性層とを備え、 前記一対の強磁性層のそれぞれは、体心立方（ｂｃｃ）の結晶構造を有し、一般式Ｃｏ↓（１００−ｐ）Ｆｅ↓ｐで表される層（パラメータｐは、０≦ｐ≦７５を満たし、前記一対の強磁性層のそれぞれにおけるｐは、同一または別異である）であり、 前記非磁性層は、体心立方（ｂｃｃ）の結晶構造を有し、Ｃｕからなる層であり、 前記一対の強磁性層、および、前記非磁性層のそれぞれは、単結晶（００１）層であるか、または、（００１）結晶面に優先配向し、 前記磁気抵抗効果膜の面内方向に電流を流すＣＩＰ型である、磁気抵抗効果素子。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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